Langsung ke konten utama

Cara Kerja Transistor Saturasi, Cut Off, dan Daerah Kerja Aktif

PRINSIP CARA KERJA TRANSISTOR Saturasi, Cut Off, dan Daerah Kerja Aktif

Transistor Kondisi Cut Off (mati)


Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor.


Titik cut-off transistor adalah titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari kolektro ke emitor, atau titik dimana transistor dalam keadaan menyumbat. Pada titik ini tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff didefinisikan juga sebagai keadaan dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui bahwa bias mundur VBE.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff. Titik cut-off transistor ini dapat dianalogikan sebagai saklar dalam kondisi terbuka (Off). Titik Cut-Off Transistor Adalah Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka).


Titik cut-off transistor terjadi pada saat transistor tidak mendapat bias pada basis, sehingga transistor tidak konduk atau mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor ini memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan pada grafik titik cut-off pada garis beban transistor berikut. Grafik Titik Cut-Off Pada Garis Beban Transistor :



Besarnya tegangan antara kolektor dan emitor transistor pada kondisi mati atau cut off  adalah :
Vce=Vcc-Ic \ cdot Rc
Karena kondisi mati Ic = 0 (transistor ideal) maka:
Vce=Vcc Vce=Vcc\cdot Rc

Transistor Kondisi Saturasi

Daerah kerja transistor Saturasi adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE terhubung maksimum).


Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE, atau dengan kata lain kita dapat mengatakan IC mendapatkan hasil maksimumnya. Untuk rangkaian seperti diatas dapat menemukan IC yaitu IC=VCC/(RC+RE).


Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat diketahui sebagai berikut.
Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic) adalah :
Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:
Sehingga besar arus basis Ib jenuh adalah :

Daerah kerja Transistor Aktif

Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).

Kondisi aktif adalah dimana transistor mengalirkan arus listrik dari kolektor ke emitor walau tidak dalam kondisi atau proses penguatan sinyal, hal ini akan bisa kita lihat jika kita mengukur sinyal yang keluar dari transistor tersebut tidak cacat bentuknya, misalnya berbentuk sinyal sinus, kotak, segitiga dan lain-lain tanpa cacat. Kemudian kondisi jenuh adalah dimana kondisi transistor ketika Vce = 0 volt sampai 0.7 volt, ini untuk jenis transistor silikon. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.

Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian CE ), maka dapat diperoleh hubungan :

VCE = VCC – IC RC

Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :

PD = VCE . IC

Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

Komentar

Postingan populer dari blog ini

PELUANG BERSYARAT DAN TEOREMA BAYES (Statistika Tugas Minggu ke 3)

A.     Pengertian Teorema Bayes Dalam teori probabilitas dan statistika, teorema Bayes adalah sebuah teorema dengan dua penafsiran berbeda. Dalam penafsiran Bayes, teorema ini menyatakan seberapa jauh derajat kepercayaan subjektif harus berubah secara rasional ketika ada petunjuk baru. Dalam penafsiran frekuentis teorema ini menjelaskan representasi invers probabilitas dua kejadian. Teorema ini merupakan dasar dari statistika Bayes dan memiliki penerapan dalam sains, rekayasa, ilmu ekonomi (terutama ilmu ekonomi mikro), teori permainan, kedokteran dan hukum. Penerapan teorema Bayes untuk memperbarui kepercayaan dinamakan inferens Bayes. Misalkan kawan Anda bercerita dia bercakap-cakap akrab dengan seseorang lain di atas kereta api. Tanpa informasi tambahan, peluang dia bercakap-cakap dengan perempuan adalah 50%. Sekarang misalkan kawan Anda menyebut bahwa orang lain di atas kereta api itu berambut panjang. Dari keterangan baru ini tampaknya lebih bolehjadi kawan Anda...

PENGERTIAN BINOMIAL DAN CONTOH BINOMIAL (STATISTIKA MINGGU 4)

BINOMIAL Dalam teori probablilitas dan statistika,  distribusi binomial  adalah distribusi probabilitas diskret jumlah keberhasilan dalam  n percobaan ya/tidak (berhasil/gagal) yang saling bebas, dimana setiap hasil percobaan memiliki probabilitas  p . Eksperimen berhasil/gagal juga disebut percobaan bernoulli. Ketika  n  = 1, distribusi binomial adalah  percobaan bernoulli . Distribusi binomial merupakan dasar dari  u ji binojmial dalam uji signifikansi statistik. Distribusi ini seringkali digunakan untuk memodelkan jumlah keberhasilan pada jumlah sampel  n  dari jumlah populasi  N . Apabila sampel tidak saling bebas (yakni pengambilan sampel tanpa pengembalian), distribusi yang dihasilkan adalah distribusi geometrik, bukan binomial. Semakin besar  N  daripada  n , distribusi binomial merupakan pendekatan yang baik dan banyak digunakan. Percobaan binomial  merupakan suatu percobaan ya...